中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院魏星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院申请的专利III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111062410.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用是由魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用。所述III族氮化物二极管器件包括：III族氮化物异质结，所述III族氮化物异质结中形成有二维电子气；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接；所述III族氮化物二极管器件还包括：多个第三半导体，多个所述的第三半导体与所述异质结配合设置，其中任意两个相邻第三半导体彼此间隔设置，每一所述第三半导体能够将位于其下方的部分的所述二维电子气耗尽，以及，该多个第三半导体还分别与第一电极电性接触。本发明提供的制作方法，减小了器件的开启电压和界面态影响，提高了器件的动态特性和可靠性，工艺简单，易于集成。
本发明授权III族氮化物二极管器件及其制作方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物二极管器件，包括： 第一半导体和第二半导体，所述第一半导体与第二半导体配合形成异质结，所述异质结内形成有二维电子气； 第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述二维电子气电性连接； 其特征在于，所述III族氮化物二极管器件还包括： 多个第三半导体，多个所述的第三半导体分布于一连续的第三半导体层内，其中任意两个相邻的第三半导体彼此间隔设置，所述第三半导体层位于任意两个相邻第三半导体之间的区域还设置有第四半导体，所述第三半导体为p型半导体，所述第四半导体为n型半导体，所述第四半导体与所述第三半导体层配合形成pn结，多个所述的第三半导体与所述异质结配合设置，每一所述第三半导体能够将位于其下方的部分的所述二维电子气耗尽，以及，该多个第三半导体还分别与第一电极电性接触。
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