杭州电子科技大学龚毅获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115652430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211320955.6，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法是由龚毅;杨琳;吕垚;霍德璇设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法,使用Cr2O3粉末为原料，利用CrCl2作为运输剂，采用化学气象运输制备层状Cr2O3晶体材料。包括以下步骤：1称量并研磨原料；2使用真空封管机和氢氧机在真空下封管；3在双温区管式炉中设定对应温度使其反应，冷却后即可得到层状Cr2O3晶体材料。本发明使用CrCl2作为运输剂，可以重复运输Cr2O3，原料易得，操作简单，品质可控，可重复性高。为层状Cr2O3晶体材料的在作为催化剂在析氢反应和锂离子电池材料阳极应用提供了材料基础。
本发明授权一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种层状Cr2O3晶体材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1、准备纯度为99.95%的Cr2O3粉末和97%的CrCl2粉末，按摩尔比为1:1称量混合，研磨均匀后放入单端开口石英管底部原料端； 步骤2、利用真空封管机抽气，使石英管内的气压下降至10e-6Pa，然后使用氢氧机封管，将石英管放入双温区管式炉的中心区域； 步骤3、设定双温区管式炉以10~20度小时升温，直至石英管的原料端温度为940℃，产物端温度为800℃，开始反应； 步骤4、维持步骤3的反应温度，5~10天后反应结束，冷却后在石英管产物端得到层状Cr2O3晶体材料。
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