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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利气体输送结构及气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115537779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247743.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权气体输送结构及气相沉积设备是由刘振;吴凤丽;刘润哲;金基烈设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本气体输送结构及气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供了气体输送结构及气相沉积设备。该气体输送结构包括：分气块，包括多个气体入口及多条独立的气路，其中，第一入口经由第一气路通向喷淋板的内区挡板，第二入口经由第二气路通向喷淋板的外区挡板，第三入口经由第三气路通向喷淋板的清洗气体分气板；以及喷淋板，包括内区挡板、外区挡板及清洗气体分气板，其中，内区反应气体经由第一入口、第一气路及内区挡板，被喷洒到待加工晶圆的中心区域，外区反应气体经由第二入口、第二气路及外区挡板，被喷洒到待加工晶圆的边缘区域，清洗气体经由第三入口、第三气路及清洗气体分气板，被喷洒到晶圆托盘的中心区域及边缘区域。

本发明授权气体输送结构及气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种气体输送结构，其特征在于，包括： 分气块，包括多个气体入口及多条独立的气路，其中，第一入口经由第一气路通向喷淋板的内区挡板，第二入口经由第二气路通向所述喷淋板的外区挡板，第三入口经由第三气路通向所述喷淋板的清洗气体分气板； 所述喷淋板，包括所述内区挡板、所述外区挡板及所述清洗气体分气板，其中，所述内区挡板上设有多个第一反应气孔，所述外区挡板上设有多个第二反应气孔，所述清洗气体分气板上设有多个清洗气孔，内区反应气体经由所述第一入口、所述第一气路及所述内区挡板上的所述多个第一反应气孔，被喷洒到待加工晶圆的中心区域，外区反应气体经由所述第二入口、所述第二气路及所述外区挡板上的所述多个第二反应气孔，被喷洒到所述待加工晶圆的边缘区域，清洗气体经由所述第三入口、所述第三气路及所述清洗气体分气板上的所述多个清洗气孔，被喷洒到晶圆托盘的中心区域及边缘区域； 混气环，安装于所述分气块的内部，并设有纵向延伸的进气管，其中，所述进气管的外壁与所述分气块的内壁之间设有间隙，所述进气管的上部设有第一过气孔，而其下部通向所述喷淋板的内区挡板，所述第一气路通向所述间隙的下部，所述内区反应气体经由所述第一入口及所述第一气路抵达所述间隙的下部，沿所述间隙向上抵达所述第一过气孔，经由所述第一过气孔进入所述进气管，再沿所述进气管向下抵达所述内区挡板；以及 RPS块，其第一端连接所述清洗气体的气源，而其第二端连接所述第三入口，用于对所述清洗气体进行离子化，并将离子化的清洗气体输入所述第三入口，其中，所述RPS块的第一端与第二端之间的气路上设有狭窄段，所述狭窄段的口径小于所述第一端的第一口径及所述第二端的第二口径。

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