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龙图腾网获悉萨默费尼根有限公司申请的专利将离子注入静电阱的设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210711881.2，技术领域涉及：H01J49/42；该发明授权将离子注入静电阱的设备和方法是由J·D·坎特伯雷;M·W·森柯设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本将离子注入静电阱的设备和方法在说明书摘要公布了：一种质谱方法包含：将第一离子包存储在离子存储设备内；将所述第一离子包通过一组静电透镜转移到静电阱质量分析器中，其中在转移期间，所述透镜以第一操作模式操作，或将具有第一预定量值的注入电压施加到所述质量分析器的电极；使用所述质量分析器对所述第一离子包进行质量分析；将第二离子包存储在所述离子存储设备内；将所述第二离子包通过所述一组透镜转移到所述质量分析器中，其中在所述转移期间，所述透镜以第二操作模式操作或将具有第二预定量值的注入电压施加到所述质量分析器的所述电极；以及使用所述静电阱质量分析器对所述第二离子包进行质量分析。

本发明授权将离子注入静电阱的设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于在包含静电阱质量分析器的质谱仪系统操作期间控制质谱聚结的方法，所述方法包含： 将由离子源生成的离子流的一部分作为第一离子包存储在所述质谱仪系统的离子存储设备内； 将存储的第一离子包作为射束通过一个或多个静电透镜转移到所述静电阱质量分析器的注入狭缝中，其中，在将所述第一离子包转移到所述静电阱质量分析器中期间，一个或多个第一电压被施加到引起所述射束在所述注入狭缝内的焦点位置发生调整的所述一个或多个静电透镜，或者施加到引起所述质量分析器内的离子轨道轨迹的椭圆率增加的所述质量分析器的心轴电极； 使用所述静电阱质量分析器对所述第一离子包进行质量分析，使得所述质谱聚结由于所述焦点位置的调整或轨道椭圆率的增加而减少； 将所述离子流的第二部分作为第二离子包存储在所述离子存储设备内； 将存储的第二离子包作为第二射束通过所述一个或多个静电透镜转移到所述静电阱质量分析器的所述注入狭缝中，其中在将所述第二离子包转移到所述静电阱质量分析器中期间，一个或多个第二电压被施加到引起所述射束在所述注入狭缝内的焦点位置发生调整的所述一个或多个静电透镜，或者施加到引起所述质量分析器内的离子轨道轨迹的椭圆率降低的所述心轴电极；以及 使用所述静电阱质量分析器对所述第二离子包进行质量分析，使得同位素比保真度或信噪比由于所述焦点位置的调整或降低的椭圆率而减少。

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