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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100160.7，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法是由崔江涛;徐华芹;张孝坤设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供一种晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法，涉及芯片领域，该提供一种新型的在晶圆上标识晶粒位置的方式。该包含制作于所述晶粒上的位置标识；位置标识用于指示晶粒在晶圆上的位置；位置标识包括第一位置标识及第二位置标识；第一位置标识用于指示第二光罩在晶圆上覆盖区域的位置，其中，第二位置标识由第二光罩制作于覆盖区域内的晶粒上；第二位置标识用于指示晶粒在所述覆盖区域内的位置；其中，第一位置标识采用第一光罩通过一次曝光工艺制作，同一个覆盖区域内的晶粒上的第二位置标识采用第二光罩通过一次曝光工艺制作；第一位置标识和第二位置标识分别制作于晶粒上的不同层的材料层。

本发明授权晶粒、晶圆及晶圆上晶粒位置的标识方法在权利要求书中公布了：1.一种晶粒，其特征在于，所述晶粒包含制作于所述晶粒上的位置标识；所述位置标识用于指示所述晶粒在晶圆上的位置； 所述位置标识包括第一位置标识及第二位置标识； 所述第一位置标识用于指示第二光罩在所述晶圆上覆盖区域的位置，其中，所述第二位置标识由所述第二光罩制作于所述覆盖区域内的晶粒上；所述第二位置标识用于指示所述晶粒在所述覆盖区域内的位置； 其中，所述第一位置标识采用第一光罩通过一次曝光工艺制作，同一个所述覆盖区域内的晶粒上的所述第二位置标识采用第二光罩通过一次曝光工艺制作；所述第一位置标识和所述第二位置标识分别制作于所述晶粒上的不同层的材料层；所述第一位置标识采用阵列排列的图形进行编码；所述第二位置标识采用字母和或数字； 所述第一光罩的曝光工艺的精度小于所述第二光罩的曝光工艺的精度； 其中，所述阵列中的元素填充有所述图形，则译码为二进制编码的1；所述阵列中的元素未填充所述图形则译码为二进制编码的0； 或者，所述阵列中的元素填充有所述图形，则译码为二进制编码的0；所述阵列中的元素未填充所述图形则译码为二进制编码的1。

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