横店集团东磁股份有限公司任勇获国家专利权
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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利欧姆接触结构及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210929303.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权欧姆接触结构及其制造方法、光伏组件是由任勇;何悦;徐君设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本欧姆接触结构及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本公开提供一种欧姆接触结构及其制造方法、光伏组件，制造欧姆接触结构的方法包括：形成位于预制半导体结构的一侧的浆料层，其中，浆料层的材料包括金属；以及通过对浆料层和预制半导体结构进行激光诱导金属接触，形成发射极并形成与发射极欧姆接触的半导体结构，该方法工艺步骤较少、制造成本较低。
本发明授权欧姆接触结构及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种制造欧姆接触结构的方法，其特征在于，包括： 在包括第一区块和第二区块的预制半导体结构，形成贯穿所述第二区块中第二介质部并暴露所述第二区块中第二预制半导体基体的开口，其中，所述第一区块包括自一侧向另一侧依次设置的第一介质部、隧穿层和第一预制半导体基体，所述第二介质部和所述第二预制半导体基体自所述一侧向所述另一侧依次设置； 形成位于预制半导体结构的一侧的浆料层，包括：形成位于所述第一介质部的第一浆料层和形成位于所述开口的第二浆料层，其中，所述浆料层的材料包括金属，所述第二浆料层的材料包括掺杂材料；以及 通过对所述浆料层和所述预制半导体结构进行激光诱导金属接触，形成发射极并形成与所述发射极欧姆接触的半导体结构，包括：对所述第一浆料层进行激光波长为355nm的激光扫描，形成贯穿所述第一介质部并与所述隧穿层欧姆接触的第一发射极；对所述第二浆料层进行激光波长为1064nm或532nm的激光扫描，形成第二发射极并将所述第二预制半导体基体的接触所述第二发射极的区域形成为与所述第二发射极欧姆接触的掺杂区。
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