上海新微技术研发中心有限公司;上海晶维材料科技有限公司王诗男获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司;上海晶维材料科技有限公司申请的专利一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115215283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110414598.9，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法是由王诗男;鲁涛设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，所述薄膜吸气剂结构包括：基板；在所述基板的一个主面一侧形成的热子；以及在所述热子表面形成的吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜；在所述第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻；以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜，所述薄膜电阻的两端为从所述第二绝缘薄膜露出的电极，所述基板的所述一个主面具有空洞，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述空洞上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述空洞周围的所述一个主面。
本发明授权一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构，包括： 基板； 在所述基板的一个主面一侧形成的热子；以及 在所述热子表面形成的吸气剂薄膜， 其中，所述热子包括： 第一绝缘薄膜； 在所述第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻；以及 覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜， 所述薄膜电阻的两端为从所述第二绝缘薄膜露出的电极， 其中， 所述基板的所述一个主面具有空洞， 所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述空洞上方， 所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述空洞周围的所述一个主面， 所述第二绝缘薄膜的导热系数高于所述第一绝缘薄膜的导热系数， 所述第一绝缘薄膜是硅的氧化物，所述第二绝缘薄膜是硅的氮化物， 其中， 所述薄膜吸气剂结构包括设置在同一个所述基板的所述主面一侧的两个所述热子和两个所述吸气剂薄膜，各所述吸气剂薄膜设置在对应的所述热子上表面， 两个所述热子共用一个电极。
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