爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111197314.1，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法是由李熙烈设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。一种半导体存储器设备包括单元串和外围电路。单元串包括连接到位线的至少一个漏极选择晶体管、连接到共用源极线的至少一个源极选择晶体管、以及连接在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。外围电路对该多个存储器单元之中的被选择的存储器单元执行读取操作。外围电路被配置成：通过向连接到该多个存储器单元的字线之中的被选择的字线施加读取电压，并且通过向未被选择的字线施加通过电压，来读取存储在被选择的存储器单元中的数据，并且外围电路被配置成：在向字线施加均衡电压的同时，向单元串中的通道区传输升压防止电压。
本发明授权半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 单元串，包括连接到位线的至少一个漏极选择晶体管、连接到共用源极线的至少一个源极选择晶体管、以及连接在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元；以及 外围电路，被配置成对所述多个存储器单元之中的被选择的存储器单元执行读取操作， 其中所述外围电路被配置成： 通过向连接到所述多个存储器单元的字线之中的被选择的字线施加读取电压，并且通过向未被选择的字线施加通过电压，来读取存储在所述被选择的存储器单元中的数据； 向连接到所述漏极选择晶体管的漏极选择线施加导通电压； 向所述漏极选择线施加所述导通电压的同时，向连接到所述源极选择晶体管的源极选择线施加关断电压；并且 在向所述字线施加均衡电压的同时，向所述位线施加升压防止电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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