成都泰美克晶体技术有限公司陆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉成都泰美克晶体技术有限公司申请的专利一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210799325.5，技术领域涉及：H10N30/02；该发明授权一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器是由陆旺;雷晗设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器，该方法包括：形成压电传感器晶片，包括位于压电传感器晶片正面的第一引脚区域和背面的第二引脚区域，第一、第二引脚区域呈对角方向设置；提供第一石英晶片，在第一石英晶片上对应第一引脚区域的位置形成第一缺口，在对应第二引脚区域的位置形成第二缺口，形成第一封装侧面部件；提供第二石英晶片，在第二石英晶片上对应第二引脚区域的位置形成第三缺口，在对应第一引脚区域的位置形成第四缺口，形成第二封装侧面部件；将第一封装侧面部件与压电传感器晶片正面以及将第二封装侧面部件与压电传感器晶片背面分别键合，采用键合的方式，提高了器件的性能。
本发明授权一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器在权利要求书中公布了：1.一种压电石英传感器的封装方法，其特征在于，包括： 形成压电传感器晶片，所述压电传感器晶片呈方形，包括位于压电传感器晶片正面的第一引脚区域和压电传感器晶片背面的第二引脚区域，所述第一引脚区域和所述第二引脚区域呈对角方向设置； 提供第一石英晶片，在所述第一石英晶片上且对应所述压电传感器晶片正面的所述第一引脚区域的位置形成第一缺口，在所述第一石英晶片上且对应所述压电传感器晶片背面的第二引脚区域的位置形成第二缺口，形成第一封装侧面部件； 提供第二石英晶片，在所述第二石英晶片上且对应所述压电传感器晶片背面以及所述第二引脚区域的位置形成第三缺口，在所述第二石英晶片上且对应所述压电传感器正面的所述第一引脚区域的位置形成第四缺口，形成第二封装侧面部件； 在所述第一石英晶片表面和所述第二石英晶片表面均形成键合层； 将所述第一封装侧面部件与所述压电传感器晶片正面键合，将所述第二封装侧面部件与所述压电传感器晶片背面键合。
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