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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室;东莞阿尔泰显示技术有限公司申请的专利InGaN基光电子器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210616322.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权InGaN基光电子器件及其制备方法是由王新强;陈兆营;盛博文;刘上锋;李铎;刘放;梁文骥;赵春雷设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本InGaN基光电子器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种InGaN基光电子器件及其制备方法。InGaN基光电子器件的制备方法包括如下步骤：在晶体基底上形成AlN过渡层，AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成；在AlN过渡层上外延生长GaN过渡层，GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且GaN过渡层中的若干第二三维生长小岛是AlN过渡层中的若干第一三维生长小岛的延续，得到InGaN基光电子器件的复合衬底；在InGaN基光电子器件的复合衬底上以二维外延模式外延生长氮化物转换层；以及在氮化物转换层上形成InGaN基光电子器件的其他器件结构层，得到InGaN基光电子器件。上述制备方法能够提高InGaN基光电子器件中In组分的并入效率。此外，本发明还涉及一种采用上述InGaN基光电子器件的制备方法制备得到的InGaN基光电子器件。

本发明授权InGaN基光电子器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaN基光电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 采用物理气相沉积的方法在晶体基底上形成AlN过渡层，所述AlN过渡层由若干第一三维生长小岛组成； 在所述AlN过渡层上外延生长GaN过渡层，所述GaN过渡层由若干第二三维生长小岛组成，且所述GaN过渡层中的若干第二三维生长小岛是所述AlN过渡层中的若干第一三维生长小岛的延续，得到InGaN基光电子器件的复合衬底；所述GaN过渡层的生长温度为500℃~600℃，用于促进GaN过渡层中第二三维生长小岛和晶界的形成； 在所述InGaN基光电子器件的复合衬底上以二维外延模式外延生长氮化物转换层，使得所述GaN过渡层中的第二三维生长小岛的晶界合并，并在所述氮化物转换层中提供晶界合并诱导形成的张应力，用于提高InGaN基光电子器件中InGaN材料外延过程中In原子的并入效率；所述氮化物转换层的生长温度为600℃~1200℃；以及 在所述氮化物转换层上形成InGaN基光电子器件的其他器件结构层，得到InGaN基光电子器件。

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