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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置以及半导体电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110835931.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置以及半导体电路是由末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体电路在说明书摘要公布了：提供恢复损失降低、安全动作区域扩大的半导体装置及半导体电路。半导体装置具备：半导体层，包含第一沟槽、第二沟槽、第一导电型的第一半导体区域、第一面与第一半导体区域之间的、第一沟槽与第二沟槽之间的、与第二沟槽接触的第二导电型的第二半导体区域、设置于第一沟槽与第二半导体区域之间的第一导电型的第三半导体区域、第三半导体区域与第一面之间的第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第四半导体区域、及设置于第二半导体区域与第一面之间、与第四半导体区域分离、与第二沟槽接触、第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第五半导体区域；半导体层的第一面侧的第一电极；及半导体层的第二面侧的第二电极。

本发明授权半导体装置以及半导体电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 半导体层，具有第一面和与所述第一面对置的第二面，所述半导体层包括： 第一沟槽，设置于所述第一面侧； 第二沟槽，设置于所述第一面侧； 第一导电型的第一半导体区域，与所述第一沟槽及所述第二沟槽接触； 第二导电型的第二半导体区域，设置于所述第一面与所述第一半导体区域之间，设置于所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，与所述第二沟槽接触； 第一导电型的第三半导体区域，设置于所述第一半导体区域与所述第一面之间，设置于所述第一沟槽与所述第二半导体区域之间，与所述第一半导体区域接触，与所述第一沟槽接触，与所述第二半导体区域接触； 第二导电型的第四半导体区域，设置于所述第三半导体区域与所述第一面之间，设置于所述第一沟槽与所述第二半导体区域之间，与所述第一沟槽接触，与所述第二半导体区域接触，具有比所述第二半导体区域的第二导电型杂质浓度高的第二导电型杂质浓度；和 第二导电型的第五半导体区域，设置于所述第二半导体区域与所述第一面之间，在该第五半导体区域与所述第四半导体区域之间设置所述第二半导体区域，所述第五半导体区域与所述第二沟槽接触，具有比所述第二半导体区域的第二导电型杂质浓度高的第二导电型杂质浓度； 第一电极，设置于所述半导体层的所述第一面侧，与所述第二半导体区域、所述第四半导体区域、以及所述第五半导体区域接触；以及 第二电极，设置于所述半导体层的所述第二面侧， 其中，所述第二半导体区域与所述第二沟槽的第一侧面接触，所述第五半导体区域与所述第二沟槽的所述第一侧面接触。

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