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龙图腾网获悉中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心申请的专利一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210802248.4，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器是由唐兴刚;武凤芹;龙善丽;童紫平;吴传奇;徐福彬;张慧;张紫乾;顾逸尘设计研发完成，并于2022-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器，包括：VREF产生电路，采用驱动缓冲器；两个误差放大器ampA和ampB，负端共同连接在VSENSE端，VSENSE端为总线终端电压VTT反馈输入端；瞬态增强级，用于监测输出电压的变化，当输出端产生瞬间较大的电流导致总线终端电压VTT发生变化时，反馈电路监测到该变化将瞬间反馈到瞬态增强模块中，瞬态增强模块通过提高输出管的驱动能力，来抑制瞬态过冲的产生；输出级，采用推挽式输出结构，功率管MP和功率管MN的栅极电压分别与两个误差放大器输出端相连。本发明采用双环路设计，第一个环路是电路保持稳定工作的基础，第二个环路是瞬态增强环路，提高电路的瞬态响应能力。

本发明授权一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器在权利要求书中公布了：1.一种具有高瞬态响应的DDR存储器用终端调整器，所述DDR存储器要求三个供电源，分别为主电源电压VDDQ、总线终端电压VTT以及参考电压VREF，其特征在于，所述终端调整器包括： VREF产生电路：包括驱动缓冲器；电源电压VDDQ通过电阻R1和R2分压后，由驱动缓冲器产生输出DDR存储器用的参考电压VREF； 误差放大器组：包括两个误差放大器ampA和ampB；两个误差放大器正端共同接到电阻R1和R2分压节点V1；两个误差放大器负端共同连接在VSENSE端，VSENSE端为总线终端电压VTT反馈输入端； 瞬态增强级：包括反馈电路和瞬态增强电路，用于监测输出电压的变化，当输出端产生瞬间较大的电流导致总线终端电压VTT发生变化时，反馈电路监测到该变化将瞬间反馈到瞬态增强模块中，瞬态增强模块通过提高输出管的驱动能力，来抑制瞬态过冲的产生； 输出级，采用一个PMOS功率管MP和一个NMOS功率管MN组成的推挽式输出结构，功率管MP和功率管MN的栅极电压分别与两个误差放大器输出端相连； 所述瞬态增强级的瞬态增强电路包括瞬态增强管，瞬态增强管由PMOS功率管MP20、MP21和NMOS功率管MN20、MN21组成；其中MP20和MN20的漏端与功率管MP的栅端VP1相连，MP21和MN21的漏端与功率管MN的栅端VN1相连；MP20和MP21的源端与功率管共电源，MN20和MN21的源端分别接地； 误差放大器采用的双端输入单端输出，其两个输入端分别与VTT和V1相连，输出端VCTL接瞬态增强管的MP20、MP21、MN20、MN21的栅端； 所述瞬态增强级的反馈电路作为所述误差放大器的双端输入单端输出，反馈电路由PMOS功率管MP30、MP31、MP32和NMOS功率管MN31、MN32组成；其中MP31、MP32的栅端分别接V1和VTT，MP31、MP32的漏端分别接MN31、MN32的漏端，MN31、MN32的源端分别接地，MN31、MN32的栅端共接；MP31、MP32的源端共接到MP30的漏端，MP30的源端与MP31、MP32的衬底端同时接工作电压供电端VIN；MP32与MN32的漏端共接点作为输出端VCTL。

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