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龙图腾网获悉骏盈半导体(上海)有限公司申请的专利用于电源管理芯片的软起动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114977760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210742864.5，技术领域涉及：H02M1/36；该发明授权用于电源管理芯片的软起动电路是由吴皓楠;郝军哲;马梦娇设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于电源管理芯片的软起动电路在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于电源管理芯片的软起动电路。所述软起动电路包括：斜坡电压生成单元，用于根据所述电源管理芯片内部的使能信号，产生斜坡电压；基准电压生成单元，与所述斜坡电压生成单元连接，用于接收所述斜坡电压并根据所述斜坡电压产生基准电压；比较单元，与所述基准电压生成单元连接，用于根据预设参考电压和所述基准电压生成单元中的预设节点处的预设节点电压输出控制信号，以在产生所述使能信号之后且在产生所述基准电压之前禁止所述电源管理芯片的开关动作。通过本公开的方案，可以避免在产生使能信号之后且在产生基准电压之前电源管理芯片反复开关造成的启动震荡问题。

本发明授权用于电源管理芯片的软起动电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电源管理芯片的软起动电路，其特征在于，所述软起动电路包括： 斜坡电压生成单元，用于根据所述电源管理芯片内部的使能信号，产生斜坡电压，所述斜坡电压生成单元包括电流源和电容，所述电流源与所述电容的一端连接，所述电容的另一端接地，所述电流源经由第一节点向所述电容充电，以在所述第一节点处产生斜坡电压； 基准电压生成单元，与所述斜坡电压生成单元连接，用于接收所述斜坡电压并根据所述斜坡电压产生基准电压，所述基准电压生成单元包括NMOS管、第一电阻和第二电阻，所述NMOS管的栅极与所述斜坡电压生成单元中的所述第一节点连接，所述NMOS管的漏极与漏极电压连接，所述NMOS管的源极与所述第一电阻的一端连接，所述第二电阻一端与所述第一电阻的另一端连接，所述第二电阻的另一端接地； 比较单元，与所述基准电压生成单元连接，用于根据预设参考电压和所述基准电压生成单元中的预设节点处的预设节点电压输出控制信号，以在产生所述使能信号之后且在产生所述基准电压之前禁止所述电源管理芯片的开关动作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人骏盈半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：200030 上海市徐汇区漕溪北路88号1905、1906室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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