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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利沟槽栅MOSFET的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459921.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽栅MOSFET的制造方法是由尹率;宋彦松;彭明亮;高欢欢;景晓娟;李玲悦;冯雪莹;何晶;韩鑫淼;曹静静设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽栅MOSFET的制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种沟槽栅MOSFET的制造方法。沟槽栅MOSFET包括有源区以及围绕有源区的终端区。该制造方法包括：采用介质层形成屏蔽电介质和终端电介质，采用第一导电层形成屏蔽栅和终端导体；以及形成控制栅和栅极电介质，栅极电介质和屏蔽电介质分别位于第一沟槽上部内壁和下部内壁，控制栅和屏蔽栅分别填充第一沟槽上部空间和下部空间，其中，对介质层位于外延层上的部分依次进行减薄和第一蚀刻，从而将介质层分隔成屏蔽电介质和终端电介质，以及对屏蔽电介质进行第二蚀刻以达到与屏蔽栅的顶端相对应的高度。该制造方法可以提高器件的耐压性能、产品良率和可靠性。

本发明授权沟槽栅MOSFET的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅MOSFET的制造方法，所述沟槽栅MOSFET包括有源区以及围绕所述有源区的终端区，所述制造方法包括： 形成从半导体基板表面延伸至所述半导体基板内部的多个沟槽，所述半导体基板包括堆叠的半导体衬底和外延层，所述多个沟槽包括位于所述有源区的第一沟槽和位于所述终端区的第二沟槽； 采用介质层形成屏蔽电介质和终端电介质，所述屏蔽电介质位于所述第一沟槽下部内壁，所述终端电介质位于所述第二沟槽内壁； 采用第一导电层形成屏蔽栅和终端导体，所述屏蔽栅填充所述第一沟槽下部空间，所述终端导体填充所述第一沟槽内部空间；以及 在所述第一沟槽上部形成控制栅和栅极电介质，所述栅极电介质位于所述第一沟槽上部内壁，所述控制栅填充所述第一沟槽上部空间， 其中，所述形成屏蔽电介质和终端电介质的步骤包括：对所述介质层位于所述外延层上的部分依次进行减薄和第一蚀刻，从而将所述介质层分隔成所述屏蔽电介质和所述终端电介质，以及对所述屏蔽电介质进行第二蚀刻以达到与所述屏蔽栅的顶端相对应的高度； 在所述第一蚀刻步骤之前，形成第一光刻胶掩模，所述第一光刻胶掩模遮挡所述终端区和暴露所述有源区；所述第一蚀刻去除所述介质层位于所述外延层表面上的部分；在所述第一蚀刻步骤中，所述终端电介质包括位于所述第一光刻胶掩模和所述外延层表面之间的一部分，并且所述介质层在所述第一光刻胶掩模和所述外延层表面之间发生钻蚀形成终端电介质的端部，所述终端电介质的端部距离所述第二沟槽大于预定距离； 在所述第一蚀刻步骤和所述第二蚀刻步骤之间，形成第二光刻胶掩模，所述第二光刻胶掩模的第一部分遮挡所述终端区和暴露所述有源区，并且覆盖所述终端电介质的端部；所述第二光刻胶掩模的第二部分至少部分填充所述第一沟槽，从而在所述第二蚀刻步骤中保护所述屏蔽栅的表面。

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