西安电子科技大学朱家铎获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210269820.5，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法是由朱家铎;尚蔚;许晟瑞;党魁;张金风;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种GaNBGaNGaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法，通过使用MOCVD工艺在GaN的N型层2上生长B含量可调的BGaN本征层3，来高效调制本征层载流子寿命，满足快恢复、微波开关等多种需求。同时本发明使得BGaNGaN异质结处二维电子气浓度降低，可以减小器件的寄生电容。
本发明授权一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNBGaNGaN结构的PIN多用途二极管的制备方法，其特征在于，包括： 步骤一：获取GaN衬底1； 步骤二：使用MOCVD工艺在GaN衬底1上生长Si掺杂GaN的N型层2； 步骤三：使用MOCVD工艺在GaN的N型层2上生长B含量可调的BGaN本征层3；其中，B的含量调整范围为10%-30%；生长BGaN本征层3的工艺条件为：温度1000℃，压强300Torr，镓源流量80sccm，B源流量30sccm，氨气流量20000sccm，氢气流量40000sccm； 步骤四：使用MOCVD工艺在BGaN本征层3上生长Mg掺杂GaN的P型层4； 步骤五：在P型层4上制作掩膜，使用干法刻蚀工艺对左侧的P型层4和BGaN本征层3进行刻蚀，直至暴漏出N型层2的左侧部分； 步骤六：在暴露出的N型层上沉积Pt金属，形成阴极金属电极6； 步骤七：在P型层4顶部淀积Pt金属，形成阳极金属电极7。
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