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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利晶片处理系统和控制气体的温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110530051.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权晶片处理系统和控制气体的温度的方法是由陈柏勲;周俊伟;廖耕颍;林子平;吴泰进;叶书佑;陈柏仁设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片处理系统和控制气体的温度的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。

本发明授权晶片处理系统和控制气体的温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片处理系统，其特征在于，包含： 一晶片处理室，在该晶片处理室中定义一处理区域，其中在该处理区域处理一晶片； 一晶片支撑件，在该晶片处理室中，并配置以在该处理区域中支撑该晶片； 一气体喷射系统，包含： 一气体喷射器，耦接至该晶片处理室，并配置以将一第一气体喷射至该处理区域，其中该第一气体被用于该晶片的处理； 一第一气体管，配置以将处于一第一温度的该第一气体引导至该气体喷射器； 一加热壳体，包围该气体喷射器以加热该第一气体； 一第二气体管，配置以将一加热的气体引导到该加热壳体，以将在该加热壳体处的一壳体温度从一第一壳体温度增加到一第二壳体温度，其中，由于在该加热壳体处的该第二壳体温度，该气体喷射器中该第一气体的一温度从该第一温度升高到一第二温度；以及 一压力感测器，配置以测量该第一气体在该第一气体管中的一第一压力和该第一气体在该气体喷射器中的一第二压力的至少一个，其中该加热的气体的一温度是基于该第一压力和该第二压力的至少一个来调整；以及一变压器耦合电浆线圈，设置在该晶片处理室的全体上方，其中该变压器耦合电浆线圈的一第一部分设置在该加热壳体内且该变压器耦合电浆线圈的一第二部分设置在该加热壳体外。

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