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龙图腾网获悉南京国盛电子有限公司;南京盛鑫半导体材料有限公司申请的专利一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613699B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210231487.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法是由谢进;邓雪华;王银海;郭佳龙设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：1准备温度控片；2反应腔升温并进行HCL清洁；3冷却至室温，装入温度控片；4以恒定的升温速率升温至1150‑1200℃进行烘烤；5取出温度控片进行化学处理；6对温度控片进行电阻率测试，获得温度控片各区域温度并进行温度补偿；7清洗待外延的硅片并重复步2的操作后，将待外延的硅片放入反应腔；以步骤4中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤6中的温度补偿，进行烘烤；调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。本发明能够有效控制外延过程中硅片表面的温度分布，更好控制滑移线的产生。

本发明授权一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法在权利要求书中公布了：1.一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 1准备温度控片；采用轻掺B硅片进行干氧氧化，氧化后注入原子P形成温度控片； 2外延炉反应腔升温至1160-1200℃后，对反应腔进行HCl清洁； 3清洁完毕，冷却外延炉反应腔至室温，装入温度控片； 4反应腔以恒定的升温速率升温至预设烘烤温度，在H氛围下进行恒温烘烤； 5烘烤完成后，待反应腔自然冷却至室温取出温度控片进行化学处理获得去除氧化层的温度控片； 6对去除氧化层的温度控片进行电阻率测试，分别获得温度控片各区域温度分布；计算温度控片其余区域与中心区域的温度差，对温度控片其余区域进行温度补偿； 7清洗待外延的硅片并重复步骤2的操作后，待反应腔温度冷却至预设温度，将待外延的硅片放入反应腔；反应腔以步骤4中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤6中的温度补偿操作，在H氛围下进行恒温烘烤，预设烘烤温度为700-850℃，恒温烘烤时间为30-60s；恒温烘烤完成后，调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl、H并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率；所述生长温度为1150-1200℃，H流量为40-100slm，外延生长速率为2-5μmmin。

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