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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210179553.2，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法是由贺艺舒;季益静;吴贤勇设计研发完成，并于2022-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法，刻蚀方法包括：于碳化硅衬底上形成第一介质层；于第一介质层上形成第二介质层；于第二介质层上形成光刻胶图形；基于光刻胶图形刻蚀第二介质层，刻蚀停止在第一介质层表面，以形成窗口；去除光刻胶图形，通过窗口湿法刻蚀第一介质层，以去除窗口中的第一介质层，湿法刻蚀同时去除窗口侧壁的粗糙结构以降低窗口侧壁的粗糙度；以第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀碳化硅衬底以形成沟槽；去除第一介质层和第二介质层并对沟槽进行损伤修复处理。本发明可以有效降低碳化硅沟槽的表面粗糙度，提升碳化硅器件的沟槽栅氧层质量，大大地降低沟槽粗糙度对沟道载流子迁移率的影响。

本发明授权碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括： 提供一碳化硅衬底； 于所述碳化硅衬底上形成第一介质层； 于所述第一介质层上形成第二介质层，所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度； 于所述第二介质层上形成光刻胶图形； 基于所述光刻胶图形刻蚀所述第二介质层，刻蚀停止在第一介质层表面，以形成窗口； 去除所述光刻胶图形，通过所述窗口湿法刻蚀所述第一介质层，以去除所述窗口中的所述第一介质层，所述湿法刻蚀同时去除所述窗口侧壁的粗糙结构以降低所述窗口侧壁的粗糙度； 以所述第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述碳化硅衬底以形成沟槽； 去除所述第一介质层和第二介质层并对所述沟槽进行损伤修复处理； 通过所述窗口湿法刻蚀所述第一介质层，以去除所述窗口中的所述第一介质层时，所述第一介质层还横向凹入所述窗口一宽度形成横向凹槽，以显露沟槽与碳化硅衬底顶面之间的拐角，同时修复第二介质层刻蚀过程中在侧壁产生的损伤。

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