国际商业机器公司C·帕克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080059566.5，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法是由C·帕克;程慷果;谢瑞龙;李忠贤设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法在说明书摘要公布了：一种包括垂直电阻式存储器单元的半导体结构及其制造方法。所述方法包括：在晶体管漏极接触件上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第一电介质层；形成穿过所述第一电介质层的单元接触孔；形成穿过所述第一电介质层的接入接触孔并暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层由此形成连接所述单元接触孔的底部开口和所述接入接触孔的底部开口的腔体；在所述单元接触孔中通过原子层沉积形成包括接缝的第二电介质层；在所述空腔内形成底部电极，并且所述底部电极与所述漏极接触件、所述第二电介质层和所述接缝接触；以及在所述第一电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述第二电介质层和所述接缝接触。
本发明授权制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种制造包括至少一个电阻式存储器单元的半导体结构的方法，所述方法包括： 在半导体结构中的空腔之上的单元接触孔的内侧壁上形成电介质层，其中在单元接触孔的内侧壁之间的电介质层中形成接缝； 在所述腔的一部分内形成底部电极，所述底部电极与靶电接触件的顶表面以及与所述电介质层的底表面和所述接缝的底表面接触；以及 在所述电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述电介质层的顶表面和所述接缝的顶表面直接接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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