台湾积体电路制造股份有限公司萧有呈获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件以及制造集成电路的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113937063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110245909.3,技术领域涉及:H10B10/00;该发明授权半导体器件以及制造集成电路的方法是由萧有呈;胡智翔;王茹毓;陈蓉萱;江庭玮设计研发完成,并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及制造集成电路的方法在说明书摘要公布了:一种半导体器件包含至少一个存储器单元和至少一个逻辑单元。该至少一个逻辑单元紧邻至少一个存储器单元设置且包含多个鳍。该多个鳍分为用于形成晶体管的多个鳍组。多个鳍组的两个相邻组之间的距离不同于多个鳍组的另两个相邻组之间的距离。本发明还公开了一种制造集成电路的方法。
本发明授权半导体器件以及制造集成电路的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括: 至少一个存储器单元;以及 至少一个逻辑单元,紧邻所述至少一个存储器单元设置,包括: 多个鳍,其中,所述多个鳍分为用于形成晶体管的多个鳍组, 其中,所述多个鳍组的两个相邻组之间的距离不同于所述多个鳍组的另外两个相邻组之间的距离, 其中,所述多个鳍沿多个鳍栅格延伸的第一方向延伸,其中,所述多个鳍栅格中的每相邻两个鳍栅格之间具有鳍间距, 所述多个鳍组中的至少一个鳍组与相应的所述鳍栅格完全重叠,并且所述多个鳍组中的至少一个鳍组不与相应的所述鳍栅格重叠, 所述多个鳍栅格平行布置并且横跨所述至少一个存储器单元和所述至少一个逻辑单元的区域延伸。
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