爱思开海力士有限公司金成洙获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利具有增强层的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851429B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011237636.X，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权具有增强层的半导体封装件是由金成洙;安秉骏设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有增强层的半导体封装件在说明书摘要公布了：具有增强层的半导体封装件。提供了半导体封装件。半导体封装件可以包括：基板，芯片层叠物，其设置在基板上，该芯片层叠物包括多个半导体芯片；多条接合布线，其将基板电连接至多个半导体芯片；增强层，其设置在芯片层叠物上；以及模制层，其围绕芯片层叠物的侧表面和接合布线并且接触增强层的侧表面。增强层可以包括：下层，其包括粘合剂；中间层，其设置在下层上，以及上层，其设置在中间层上。中间层可以具有在5％至70％的范围内的伸长率。上层可以具有小于5％的伸长率。
本发明授权具有增强层的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，该半导体封装件包括： 基板； 芯片层叠物，所述芯片层叠物设置在所述基板上，所述芯片层叠物包括多个半导体芯片； 多条接合布线，所述多条接合布线将所述基板电连接至所述多个半导体芯片； 增强层，所述增强层设置在所述芯片层叠物上；以及 模制层，所述模制层围绕所述芯片层叠物的侧表面和所述多条接合布线并且接触所述增强层的侧表面， 其中，所述增强层包括： 下层，所述下层包括粘合剂； 中间层，所述中间层设置在所述下层上，所述中间层具有在5％至70％的范围内的伸长率；以及 上层，所述上层设置在所述中间层上，所述上层具有小于5％的伸长率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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