台湾积体电路制造股份有限公司林侑立获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110230667.0，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权半导体器件及其形成方法是由林侑立;廖志腾;谢瑞夫;郑志玄;翁子展设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种形成半导体器件的方法包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍上方形成栅极层；以及使用等离子蚀刻工艺来在等离子蚀刻工具中对栅极层进行图案化以在鳍上方形成栅极，其中，对栅极层进行图案化包括：在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的顶部射频RF源；以及在等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断等离子蚀刻工具的底部RF源，其中，在接通顶部RF源的第一时刻与接通底部RF源的相应第二时刻之间存在时序偏移。本发明的实施例还涉及一种半导体器件。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在衬底上方形成突出的鳍； 在所述鳍上方形成栅极层；以及 使用等离子蚀刻工艺在等离子蚀刻工具中对所述栅极层进行图案化以在所述鳍上方形成栅极、并且去除所述鳍的远离所述衬底的顶部以在所述鳍中形成凹槽，其中，图案化所述栅极层包括： 在所述等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断所述等离子蚀刻工具的顶部射频源；以及 在所述等离子蚀刻工艺期间交替地接通和关断所述等离子蚀刻工具的底部射频源，其中，所述顶部射频源以第一频率接通和关断，并且所述底部射频源以与所述第一频率相同的第二频率接通和关断，其中，在从关断到接通所述顶部射频源的第一时刻与从关断到接通所述底部射频源的相应第二时刻之间存在时序偏移，其中，所述时序偏移大于所述等离子蚀刻工艺期间所述顶部射频源的接通时间，其中所述等离子蚀刻工艺的周期是所述第一频率的倒数。
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