住友电气工业株式会社平崎贵英获国家专利权
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龙图腾网获悉住友电气工业株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110007515.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由平崎贵英设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：氮化物半导体层；绝缘层，其设置在氮化物半导体层的表面上；以及金属电极，其通过穿透绝缘层的开口与该表面接触。绝缘层包括第一SiN膜和第二SiN膜，第一SiN膜具有1×1020[原子cm3]或更大的氯Cl的浓度以及30nm或更小的厚度，并且第二SiN膜具有1×1019[原子cm3]或更小的氯Cl的浓度。
本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 氮化物半导体层； 绝缘层，所述绝缘层设置在所述氮化物半导体层的表面上；以及 金属电极，所述金属电极通过穿透所述绝缘层的开口与所述表面接触， 其中，所述绝缘层包括： 第一氮化硅SiN膜，所述第一SiN膜具有1×1020原子cm3或更大的氯Cl的浓度和30nm或更小的厚度，以及 第二氮化硅SiN膜，所述第二SiN膜具有1×1019原子cm3或更小的氯Cl的浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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