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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112820728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011296256.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件是由蔡中揆;千宽永;金润镇设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上间隔开；以及多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以在所述多个线图案当中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，在该宽度改变部分中，第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在第二水平方向上改变。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 一对第一虚设有源区和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开； 一对第一电路有源区和第二电路有源区，在所述第一水平方向上延伸并且在所述第二水平方向上彼此间隔开； 多个线图案，在所述第二水平方向上延伸并且在所述第一水平方向上彼此间隔开； 在所述第一虚设有源区上的第一虚设源极漏极区以及在所述第二虚设有源区上的第二虚设源极漏极区；以及 在所述第一电路有源区上的第一电路源极漏极区以及在所述第二电路有源区上的第二电路源极漏极区， 其中： 所述一对第一虚设有源区和第二虚设有源区设置在所述多个线图案当中彼此相邻的一对线图案之间， 所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区中的至少一个具有宽度改变部分，所述宽度改变部分是其中所述第一虚设有源区和所述第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在所述第二水平方向上改变的部分， 所述第一电路源极漏极区和所述第二电路源极漏极区中的每个在平面图中具有对称结构，以及 所述第一虚设源极漏极区和所述第二虚设源极漏极区中的至少一个在平面图中具有不对称结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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