三星电子株式会社秦正起获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010644781.3，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装是由秦正起;朴点龙;安振镐;郑泰和;千镇豪;崔朱逸;藤崎纯史设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装包括：包括芯片焊盘的半导体芯片；在半导体芯片上的下再分布结构，该下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到半导体芯片的芯片焊盘的下再分布图案；在半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及在模制层中的导电柱，该导电柱具有底表面和顶表面，该导电柱的底表面与下再分布结构的下再分布图案接触，并且该导电柱的顶表面具有凹入的形状。
本发明授权半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 包括芯片焊盘的半导体芯片； 在所述半导体芯片上的下再分布结构，所述下再分布结构包括下再分布绝缘层和电连接到所述半导体芯片的所述芯片焊盘的下再分布图案； 在所述半导体芯片的至少一部分上的模制层；以及 在所述模制层中的导电柱，所述导电柱具有底表面和顶表面，所述导电柱的所述底表面与所述下再分布结构的所述下再分布图案接触，并且所述导电柱的所述顶表面具有凹入的形状， 其中所述导电柱在所述模制层的内壁上，所述模制层的所述内壁的第一部分接触所述导电柱，所述模制层的所述内壁的第二部分从所述导电柱暴露并在所述导电柱的所述顶表面上方垂直地延伸，其中所述模制层的所述内壁的所述第一部分和所述第二部分彼此垂直地共面，以及 其中所述模制层的拐角部分在所述模制层的顶表面与所述模制层的所述内壁的所述第二部分之间并被切角或圆化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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