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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体设备、系统和控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010506864.6，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权半导体设备、系统和控制方法是由野中亮设计研发完成，并于2020-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体设备、系统和控制方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体设备、系统和控制方法。为了提供具有数字受控DC‑DC转换器的半导体设备，其能够在抑制增加的面积的同时稳定反馈操作，半导体设备10包括DC‑DC转换器14、闪速存储器17和控制闪速存储器17的处理器18，DC‑DC转换器14的特性由控制参数21确定，其中闪速存储器17和处理器18二者都以基于DC‑DC转换器14的输出的电源来操作。控制参数21被存储在闪速存储器17中，并且当DC‑DC转换器14操作时，控制参数21由处理器18从闪速存储器17读取，并且设置在DC‑DC转换器14中。

本发明授权半导体设备、系统和控制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备，包括： 转换器，所述转换器由控制参数表征； 非易失性存储设备，所述非易失性存储设备利用所述转换器的输出电压来操作；以及 处理器，所述处理器利用所述转换器的所述输出电压来操作，并且控制所述非易失性存储设备， 其中所述控制参数被存储在所述非易失性存储设备中，并且 其中所述控制参数由所述处理器从所述非易失性存储设备中读取，并且在所述转换器输出所述输出电压时，所述控制参数被设置在所述转换器中， 所述转换器包括： 数字控制回路，所述数字控制回路由所述控制参数表征； 模拟控制回路，所述模拟控制回路包括预定特性； 第一模式切换电路，所述第一模式切换电路被耦合到所述数字控制回路和所述模拟控制回路，并且所述第一模式切换电路被配置为通过第一模式切换信号，在所述数字控制回路与所述模拟控制回路之间进行选择，并且 其中所述转换器的所述输出电压通过由所述第一模式切换电路选择的所述数字控制回路或所述模拟控制回路来确定； 其中所述转换器还包括寄存器，所述寄存器被耦合到所述数字控制回路， 其中在所述模拟控制回路被所述第一模式切换电路选择时，所述控制参数被设置到所述寄存器； 其中所述数字控制回路包括： 补偿电路，所述补偿电路由来自所述寄存器的所述控制参数表征，并且所述补偿电路被供应有数字信号，所述数字信号对应于在所述转换器的所述输出电压与参考电压之间的误差；以及 第一比较器，所述第一比较器比较随时间改变的比较信号，并且输出PWM信号， 其中所述模拟控制回路包括第二比较器，所述第二比较器将对应于所述误差的模拟信号与预定阈值相比较，并且输出PFM信号，并且 其中所述PWM信号和所述PFM信号由所述第一模式切换电路来选择。

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