三星电子株式会社徐裕轸获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010282827.1，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权垂直存储器件是由徐裕轸;李秉一;姜秀彬;具池谋设计研发完成，并于2020-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储器件在说明书摘要公布了：一种垂直存储器件包括位于衬底上的多个沟道、沟道连接图案、多个栅电极以及顺序堆叠的蚀刻停止图案和阻挡图案。所述沟道在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸。所述沟道连接图案在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸以覆盖所述沟道的外侧壁。所述多个栅电极在所述沟道连接图案上沿所述第一方向彼此间隔开，并沿所述第二方向延伸以围绕所述多个沟道。所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案在所述沟道连接图案的在第三方向上的端部沿第三方向顺序地堆叠，所述第三方向与所述衬底的所述上表面平行并与所述第二方向交叉，所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案包括彼此不同的材料。
本发明授权垂直存储器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储器件，所述垂直存储器件包括： 衬底； 多个沟道，所述多个沟道位于所述衬底上，每个所述沟道在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上延伸； 沟道连接图案，所述沟道连接图案在与所述衬底的所述上表面平行的第二方向上延伸以覆盖所述多个沟道的外侧壁，所述沟道连接图案将所述多个沟道彼此连接； 多个栅电极，所述多个栅电极位于所述沟道连接图案上并且在所述第一方向上彼此间隔开，每个所述栅电极在所述第二方向上延伸以围绕所述多个沟道；以及 蚀刻停止图案和阻挡图案，所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案在所述沟道连接图案的端部沿第三方向顺序地堆叠，所述第三方向平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第二方向交叉，并且所述蚀刻停止图案和所述阻挡图案包括彼此不同的材料， 其中，所述沟道连接图案的所述端部的侧壁在所述第三方向上朝向所述沟道连接图案的中心部分凹陷。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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