三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括可变电阻层的半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911410986.9，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权包括可变电阻层的半导体存储器件是由李炅奂;金容锡;金森宏治设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括可变电阻层的半导体存储器件在说明书摘要公布了：本发明构思涉及一种包括可变电阻层的半导体存储器件。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层。柱结构设置在堆叠结构的侧表面上。柱结构包括绝缘柱和可变电阻层，可变电阻层设置在绝缘柱上并位于绝缘柱和堆叠结构之间。沟道层设置在可变电阻层上并位于可变电阻层和堆叠结构之间。栅电介质层设置在沟道层上并位于所述多个互连层和沟道层之间。沟道层设置在可变电阻层和栅电介质层之间。
本发明授权包括可变电阻层的半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 堆叠结构，包括在衬底上交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层，其中所述多个绝缘层中的最上面的绝缘层直接设置在所述多个互连层中的最上面的互连层上方；以及 柱结构，设置在所述堆叠结构的侧表面上， 其中所述柱结构包括： 绝缘柱； 可变电阻层，设置在所述绝缘柱上并且位于所述绝缘柱和所述堆叠结构之间； 沟道层，设置在所述可变电阻层上并且位于所述可变电阻层和所述堆叠结构之间；和 栅电介质层，设置在所述沟道层上并且位于所述多个互连层和所述沟道层之间， 其中所述沟道层设置在所述可变电阻层和所述栅电介质层之间，以及 其中从所述衬底的上表面到所述绝缘柱、所述可变电阻层、所述沟道层和所述栅电介质层的上表面的高度分别大于从所述衬底的所述上表面到所述最上面的绝缘层的上表面的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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