三星电子株式会社张根豪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111146191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910851819.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装件是由张根豪;白承德设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了：一种半导体封装件包括：基础晶圆，其包括第一衬底和延伸穿过第一衬底的至少一个第一贯通过孔电极；以及第一半导体芯片，其设置在基础晶圆上。第一半导体芯片包括第二衬底；以及延伸穿过第二衬底的至少一个第二贯通过孔电极。所述至少一个第二贯通过孔电极设置在所述至少一个第一贯通过孔电极上，以电连接到所述至少一个第一贯通过孔电极。所述至少一个第一贯通过孔电极在第一方向上的第一直径大于所述至少一个第二贯通过孔电极在第一方向上的第二直径。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 基础晶圆，其包括： 第一衬底；和 至少一个第一贯通过孔电极，其延伸穿过所述第一衬底；和 第一半导体芯片，其设置在所述基础晶圆上，所述第一半导体芯片包括： 第二衬底；和 至少一个第二贯通过孔电极，其延伸穿过所述第二衬底，其中，所述至少一个第二贯通过孔电极设置在所述至少一个第一贯通过孔电极上，以电连接到所述至少一个第一贯通过孔电极，其中，所述至少一个第一贯通过孔电极在第一方向上的第一直径大于所述至少一个第二贯通过孔电极在所述第一方向上的第二直径，并且 其中，所述至少一个第一贯通过孔电极的第一纵横比实质上等于或大于所述至少一个第二贯通过孔电极的第二纵横比，所述第一纵横比是所述至少一个第一贯通过孔电极在实质上垂直于所述第一方向的第二方向上的第一长度相对于所述第一直径的比率，并且所述第二纵横比是所述至少一个第二贯通过孔电极在所述第二方向上的第二长度相对于所述第二直径的比率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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