昕原半导体(上海)有限公司吴云峰获国家专利权
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龙图腾网获悉昕原半导体(上海)有限公司申请的专利电阻式存储单元和电阻式存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223730221U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520021672.4，技术领域涉及：H10N70/00；该实用新型电阻式存储单元和电阻式存储器是由吴云峰;刘业帆设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式存储单元和电阻式存储器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了电阻式存储单元和电阻式存储器，电阻式存储单元包括：阻变层；第一电极层，设置于阻变层第一方向的第一侧；第二电极层，设置于阻变层第一方向与第一侧相对的第二侧；第一电极层包括多个第二方向间隔设置的第一子电极层，和或，第二电极层包括多个第二方向间隔设置的第二子电极层。由此，通过使第一电极层包括多个第二方向间隔设置的第一子电极层，和或，第二电极层包括多个第二方向间隔设置的第二子电极层，这样可以通过改变活性电极层，制备一个在局部位置团聚的活性电极层，从而可以将电荷集中，实现在固定位置形成导电丝，进一步地，可以削弱电阻式存储单元阻值的随机性，提升电阻式存储单元的稳定性和可靠性。
本实用新型电阻式存储单元和电阻式存储器在权利要求书中公布了：1.一种电阻式存储单元，其特征在于，包括： 阻变层10； 第一电极层30，设置于所述阻变层10在第一方向上的第一侧； 第二电极层20，设置于所述阻变层10在所述第一方向上与所述第一侧相对的第二侧； 所述第一电极层30包括多个在第二方向上间隔设置的第一子电极层301，和或，所述第二电极层20包括多个在所述第二方向上间隔设置的第二子电极层201； 其中，所述第一方向与所述第二方向彼此相交。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昕原半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号13幢304室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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