台湾积体电路制造股份有限公司周耕宇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利影像感测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223730202U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422956238.3，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型影像感测器是由周耕宇;庄君豪;叶尚府;江伟杰;王子睿设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本影像感测器在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种影像感测器，具有浮置扩散节点与传输闸门在第一晶片上，以及源极跟随器、双转换增益电晶体DCG、选择闸门、及重置闸门在第二晶片上。第一晶片上的浮置扩散节点是非共享的，因此每个光侦测器像素都有一个。与任何可行的单一晶片布置的情况相比，在该两个晶片非共享的布置中，浮置扩散节点的电容是证明为较低。双转换增益电晶体可以与重置电晶体一起串联放置，使得双转换增益电晶体可以包括在像素电路内，而不用增加至浮置扩散节点的布线。包含在浮置扩散节点中的布线可能是维持实质上垂直，而只有一个短的水平布线提供源极跟随器闸电极与双转换增益电晶体源之间的连接。
本实用新型影像感测器在权利要求书中公布了：1.一种影像感测器，其特征在于，包括： 第一半导体衬底，具有第一边及第二边； 第一金属内连线结构，包括超过所述第一边的多个金属化层； 第二半导体衬底； 第二金属内连线结构，包括超过所述第二半导体衬底的多个金属化层，其中，透过所述第一金属内连线结构与所述第二金属内连线结构之间的结合，所述第一半导体衬底结合至所述第二半导体衬底；以及 光侦测器组成的阵列，其中所述光侦测器的每一个包括感光区域、浮置扩散区、传输闸门、源极跟随器、选择闸门电晶体、双转换增益电晶体及重置电晶体，其中所述感光区域及所述浮置扩散区在所述第一半导体衬底内，所述传输闸门在所述第一半导体衬底上，所述源极跟随器、所述选择闸门电晶体、所述双转换增益电晶体及所述重置电晶体在所述第二半导体衬底上， 其中所述第一半导体衬底上的所述浮置扩散区与所述第二半导体衬底上的所述源极跟随器存在一对一的对应关系。
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