杭州士兰微电子股份有限公司吴涛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利BCD器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223730191U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423320860.1，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型BCD器件是由吴涛;姚国亮;陈冬娟;胡雅静;吴旸;刘建平设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本BCD器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种BCD器件，包括衬底、第一阱区、第一栅氧化层、至少一个欧姆接触区、第一栅电极层及第一介质层。所述第一阱区从所述衬底的顶面向下延伸，所述第一栅氧化层位于所述第一阱区中的欧姆接触区以外的部分顶面上，所述第一介质层位于所述第一栅氧化层的至少部分顶面，所述第二栅电极层位于所述第二介质层的至少部分顶面。本实用新型利用所述第一介质层将所述第一栅电极层的至少部分抬高，从而降低所述第一阱区的表面电场，进而降低HCI热载流子注入效应，提高了所述BCD器件的可靠性，且第一介质层的制备与BCD工艺兼容，制备成本也较低。
本实用新型BCD器件在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件，其特征在于，包括： 衬底； 第一阱区，从衬底表面向下延伸； 至少一个欧姆接触区，所述欧姆接触区从第一阱区表面向下延伸； 第一栅氧化层，位于所述第一阱区中的欧姆接触区以外的部分顶面上； 第一介质层，位于所述第一栅氧化层的至少部分顶面；以及， 第一栅电极层，位于所述第一介质层的至少部分顶面。
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