苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司霍树栋获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司申请的专利一种变容二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223730187U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423323508.3，技术领域涉及：H10D8/00；该实用新型一种变容二极管是由霍树栋;高云云;张正兴设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种变容二极管在说明书摘要公布了：本申请公开一种变容二极管，涉及二极管技术领域，该变容二极管包括衬底、依次层叠设置于所述衬底上的沟道层、势垒层和帽层，所述沟道层和所述势垒层的界面处形成有二维电子气，所述帽层上划分有第一区域和第二区域，在所述第一区域设置有阴极，在所述阴极和所述第二区域设置有钝化层；对位于所述第二区域的钝化层刻蚀并依次穿透所述帽层和所述势垒层至露出所述沟道层内部，以使形成的刻蚀凹槽的底壁位于所述沟道层内部，所述刻蚀凹槽的侧壁与所述底壁之间的夹角为钝角，在所述刻蚀凹槽的底壁、侧壁和位于第二区域内的钝化层上设置有阳极。该变容二极管，不仅能够增大变容范围，而且能够实现大范围平稳的电容变化。
本实用新型一种变容二极管在权利要求书中公布了：1.一种变容二极管，其特征在于，包括衬底、依次层叠设置于所述衬底上的沟道层、势垒层和帽层，所述沟道层和所述势垒层的界面处形成有二维电子气，所述帽层上划分有第一区域和第二区域，在所述第一区域设置有阴极，在所述阴极和所述第二区域设置有钝化层； 对位于所述第二区域的钝化层刻蚀并依次穿透所述帽层和所述势垒层至露出所述沟道层内部，以使形成的刻蚀凹槽的底壁位于所述沟道层内部，所述刻蚀凹槽的侧壁与所述底壁之间的夹角为钝角，在所述刻蚀凹槽的底壁、侧壁和位于第二区域内的钝化层上设置有阳极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：215101 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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