沈阳飞达电子有限公司韩东宁获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳飞达电子有限公司申请的专利一种功率晶体管阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223728763U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520009393.6，技术领域涉及：H01L23/051；该实用新型一种功率晶体管阵列是由韩东宁;张伟;侯宏程;裴立新;高仕骥;李家奇设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率晶体管阵列在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种功率晶体管阵列，包括晶体管阵列基板、上护板和晶体管，所述晶体管阵列基板的上端一体注塑有针槽，且基板的两端中部开设有装配槽，所述装配槽的内壁开设有通孔，所述晶体管阵列基板的上端顶部对接有上护板，且上护板的中部四周开设有流道。该功率晶体管阵列使用时，该上护板作为晶体管阵列基板的上端保护结构，整体采用对称的分布结构进行设计，能够很好的对晶体管阵列基板内的晶体管进行多方位保护，减少晶体管受到损伤，同时该上护板采用嵌入式的连接方式与晶体管阵列基板进行连接，该上护板通过对接柱和通孔与晶体管阵列基板进行连接，该种连接方式操作简单，方便实用。
本实用新型一种功率晶体管阵列在权利要求书中公布了：1.一种功率晶体管阵列，包括晶体管阵列基板1、上护板4和晶体管21，其特征在于：所述晶体管阵列基板1的上端一体注塑有针槽2，且晶体管阵列基板1的两端中部开设有装配槽3，所述装配槽3的内壁开设有通孔31，所述晶体管阵列基板1的上端顶部对接有上护板4，且上护板4的中部四周开设有流道5。
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