合肥晶合集成电路股份有限公司章曦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种光电测试结构及系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223728725U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520018446.0，技术领域涉及：H01L21/66；该实用新型一种光电测试结构及系统是由章曦;康绍磊设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电测试结构及系统在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种光电测试结构及系统，光电测试结构包括：衬底，衬底中设置第一类阱区，第一类阱区和衬底的掺杂离子类型相同；电荷存储掺杂区，设置在第一类阱区中，其中电荷存储掺杂区和第一类阱区的分界面处形成PN结；传输栅极结构，设置在衬底上；测试晶体管，测试晶体管的源极区和漏极区设置在第一类阱区中，测试晶体管的栅极结构设置在衬底上，其中测试晶体管的栅极结构与传输栅极结构相邻，且测试晶体管的栅极结构保持在高电位；以及输出端口，连接于测试晶体管的漏极区，并在传输栅极结构处于浮接状态时输出第一电流，在传输栅极结构处于低电位时输出第二电流。本实用新型能够快速测出图像的白点情况。
本实用新型一种光电测试结构及系统在权利要求书中公布了：1.一种光电测试结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中设置第一类阱区，所述第一类阱区和所述衬底的掺杂离子类型相同； 电荷存储掺杂区，设置在所述第一类阱区中，其中所述电荷存储掺杂区和所述第一类阱区的分界面处形成PN结； 传输栅极结构，设置在所述衬底上，所述传输栅极结构的第一端位于所述第一类阱区上，且位于所述电荷存储掺杂区的一侧； 测试晶体管，所述测试晶体管的源极区和漏极区设置在所述第一类阱区中，所述测试晶体管的栅极结构设置在所述衬底上，其中所述测试晶体管的栅极结构与所述传输栅极结构相邻，且所述测试晶体管的栅极结构保持在高电位；以及 输出端口，连接于所述测试晶体管的漏极区，并在所述传输栅极结构处于浮接状态时输出第一电流，在所述传输栅极结构处于低电位时输出第二电流。
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