湖北大学杨靖怡获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北大学申请的专利一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223727973U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423164100.6，技术领域涉及：G01R33/02；该实用新型一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器是由杨靖怡;王瑞龙;梁希儿设计研发完成，并于2024-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及传感器技术领域，本实用新型一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器，包括封装壳和封装在封装壳中的传感器芯片。本实用新型具有如下优点：通过在封装壳的侧壁上设置散热翅片，有效增加散热面积，加速热量的散发，从而确保传感器在高强度工作条件下依然能够保持稳定的性能，延长使用寿命，传感器芯片采用自下而上层叠设计的结构，特别是自旋轨道耦合层与磁性层的结合，使得传感器能够响应外部磁场的变化，并通过磁矩的变化来检测磁场的方向和强度，实现了三维磁场的精确测量，将磁性层制备成圆形或圆环状，有助于均匀分布磁场，提高磁场检测的准确性和灵敏度，在磁性层与自旋轨道耦合层之间设置缓冲层，提高自旋极化电流的传输效率。
本实用新型一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于自旋轨道矩的三维磁传感器，其特征在于，包括： 封装壳，所述封装壳包括壳体，所述壳体的侧壁上设有散热翅片，所述壳体的侧壁上开设有引脚孔，所述引脚孔中通过填充绝缘密封胶固定有电极引脚； 传感器芯片，所述传感器芯片设置在所述壳体中，所述传感器芯片自下而上依次层叠设有基底、自旋轨道耦合层、磁性层、绝缘层及电极层，所述基底为所述传感器芯片提供支撑，所述自旋轨道耦合层能够在电流通过时产生自旋极化电流，所述磁性层在自旋极化电流和外部磁场的作用下产生磁矩变化，所述绝缘层用于隔离所述磁性层和所述电极层，防止短路，所述电极层与所述电极引脚连接，用于施加电流和引出电信号。
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