深圳市芯控源电子科技有限公司丘展富获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市芯控源电子科技有限公司申请的专利一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223727950U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422997526.3,技术领域涉及:G01R31/26;该实用新型一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置是由丘展富设计研发完成,并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开的属于热阻测试技术领域,具体为一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置,包括测试台、升降转板和驱动机构,测试台的顶部固定设置有液冷板,液冷板的顶部等间距至少设置有两个热沉;升降转板升降且转动位于测试台的上方,升降转板上位于每个热沉上方开设有安装框。该实用新型当需要将PCB电路板进行翻面时,可以启动伺服双头电机带动驱动杆转动,通过驱动伞齿轮和随动伞齿轮可以带动丝杆转动,从而使得升降转板上升后,再通过驱动件控制蜗杆转动,通过蜗轮带动连接杆和升降转板整体法翻转180°,再启动伺服双头电机反向控制驱动杆转动,使得升降转板下降,从而解决不便于测试多个双面散热MOSFET以及不便于对PCB电路板进行翻面的技术问题。
本实用新型一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置在权利要求书中公布了:1.一种散热MOSFET的热阻测试辅助装置,其特征在于,包括: 测试台100,所述测试台100的顶部固定设置有液冷板101,所述液冷板101的顶部等间距至少设置有两个热沉102; 升降转板200,升降且转动位于所述测试台100的上方,所述升降转板200上位于每个热沉102上方开设有安装框201,所述安装框201的内侧通过夹持机构拆装设置有双面散热MOSFET400,所述双面散热MOSFET400焊接在PCB电路板上,所述双面散热MOSFET400的厚度不小于升降转板200和夹持机构的厚度,所述热沉102表面的凸台103穿过PCB电路板后与双面散热MOSFET400的底面接触; 驱动机构300,设置于所述测试台100上,用于驱动升降转板200上升后带动全部的PCB电路板翻转180°再下降,所述驱动机构300包括有左右对称固定在测试台100侧壁上的“L”状的固定架301,所述固定架301的内侧壁转动设置有竖向的丝杆302,所述固定架301的内侧壁升降贴合滑动设置有升降块303,所述丝杆302的杆身螺接贯穿升降块303的上下壁,所述升降块303靠近升降转板200的一侧通过轴承座转动设置有连接杆305,所述连接杆305的另一端固定在升降转板200的侧壁上,所述升降块303靠近连接杆305的一侧设置有“L”状的安装架304,所述连接杆305的杆身上固定设置有蜗轮306,所述安装架304的侧壁上转动设置有啮合蜗轮306的蜗杆307。
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