晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司费磊获国家专利权
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龙图腾网获悉晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司申请的专利一种复合衬底、外延结构及器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223723284U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422874827.7，技术领域涉及：C30B25/20；该实用新型一种复合衬底、外延结构及器件是由费磊;姚力军;郭付成;边逸军;左万胜设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合衬底、外延结构及器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种复合衬底、外延结构及器件，具体涉及功率器件领域，所述复合衬底包括：依次设置的多晶SiC层、第一4H‑SiC层、3C‑SiC层和第二4H‑SiC层。本本实用新型提供的复合衬底，通过采用特定设计的结构，在3C‑SiC层和4H‑SiC层的连接界面形成量子阱，让层错扩展至连接界面，从而避免层错扩展至单晶层，甚至外延层，从而提升耐压性能，同时所得复合衬底具有较低表面自由能，能够防止薄单晶层刻穿。
本实用新型一种复合衬底、外延结构及器件在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底包括：依次设置的多晶SiC层、第一4H-SiC层、3C-SiC层和第二4H-SiC层； 所述多晶SiC层的厚度均分别＞第一4H-SiC层、3C-SiC层和第二4H-SiC层的厚度； 所述多晶SiC层的厚度为330-370μm； 所述第一4H-SiC层的厚度为0.3-0.7μm； 所述3C-SiC层的厚度为0.3-0.7μm； 所述第二4H-SiC层的厚度为0.3-0.7μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶丰芯驰(上海)半导体科技有限公司;宁波晶丰芯驰半导体材料有限公司;嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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