北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司曹硕获国家专利权
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龙图腾网获悉北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请的专利一种晶体生长炉内气体控制系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223723278U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520168208.8，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种晶体生长炉内气体控制系统是由曹硕;娄艳芳;刘春俊;杨建;彭同华设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体生长炉内气体控制系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶体生长炉内气体控制系统，通过第二管道向晶体生长炉内通入惰性气体，通过第三管道向晶体生长炉内通入氮气，以使得晶体生长炉内存在惰性气体和氮气，以保证晶体在晶体生长炉内的正常生长；第一管道上设置有输出泵和监测模块，在晶体生长的过程中，启动输出泵通过第一管道抽取晶体生长炉内的混合气体，并通过监测模块检测混合气体中氮气浓度和惰性气体浓度中的至少一者；第二管道和第三管道中至少一者设置有控制阀，这样能够根据监测模块检测出的氮气浓度调节对应控制阀的开合度，实现了调节晶体生长炉内气体浓度，使得晶体生长炉内的氮气浓度稳定在指定范围，提高了晶体的电阻率的均匀性，提高了晶体的电阻率的合格率。
本实用新型一种晶体生长炉内气体控制系统在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长炉内气体控制系统，其特征在于，包括：第一管道41、输出泵43、监测模块44、第二管道23、第三管道33和控制阀； 其中，所述第二管道23和所述第三管道33均用于连通所述晶体生长炉10，所述第二管道23用于向所述晶体生长炉10内通入惰性气体，所述第三管道33用于向所述晶体生长炉10内通入氮气； 所述第二管道23和所述第三管道33中的至少一者设置有所述控制阀； 所述第一管道41用于连通晶体生长炉10，所述第一管道41上设置有所述输出泵43和所述监测模块44，所述输出泵43用于通过所述第一管道41抽取所述晶体生长炉10内的混合气体，所述混合气体包括所述氮气和所述惰性气体，所述监测模块44用于获取所述混合气体中的氮气浓度和惰性气体浓度中的至少一者。
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