杭州镓仁半导体有限公司夏宁获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州镓仁半导体有限公司申请的专利一种氧化镓晶体生长炉的热场结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223723271U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520195237.3，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型一种氧化镓晶体生长炉的热场结构是由夏宁;王琤设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓晶体生长炉的热场结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氧化镓晶体生长炉的热场结构，涉及晶体生长技术领域，包括：晶体生长炉，晶体生长炉的底部设置有与炉腔相通的竖直通道孔；硅钼棒加热器，硅钼棒加热器设置在炉腔内；坩埚，坩埚能够穿过竖直通道孔进入炉腔内；升降驱动机构，升降驱动机构用于驱动坩埚通过竖直通道孔进入炉腔内或通过竖直通道孔离开炉腔；保温元件，保温元件包括保温隔板和保温柱。坩埚撤离炉腔后，保温隔板能够遮盖竖直通道孔的顶端，一方面有效降低坩埚和晶体温度，并提高晶体的质量；另一方面能够有效防止炉腔内热量通过竖直通道孔散失，使炉内温度更加稳定，维持硅钼棒加热器在出料阶段的温度从而避免其因温度降低至冷脆状态而开裂。
本实用新型一种氧化镓晶体生长炉的热场结构在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓晶体生长炉的热场结构，其特征在于，包括： 晶体生长炉，所述晶体生长炉的底部设置有与所述晶体生长炉的炉腔相通的竖直通道孔； 硅钼棒加热器，所述硅钼棒加热器设置在所述炉腔内； 坩埚，所述坩埚能够穿过所述竖直通道孔进入所述炉腔内； 升降驱动机构，所述升降驱动机构用于驱动所述坩埚通过所述竖直通道孔进入所述炉腔内或通过所述竖直通道孔离开所述炉腔； 保温元件，所述保温元件包括由上至下依次分布的保温隔板和保温柱，所述保温柱的顶端与所述保温隔板固连，所述保温柱的底端与所述坩埚的顶端接触，所述保温隔板位于所述炉腔内，且所述保温隔板不能通过所述竖直通道孔，所述保温隔板用于遮盖所述竖直通道孔的顶端。
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