浙江芯晟半导体科技有限责任公司苏忠洲获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请的专利一种光电辅助的PECVD沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223723217U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520236873.6，技术领域涉及：C23C16/50；该实用新型一种光电辅助的PECVD沉积设备是由苏忠洲;弓冰;靳安安;姜宇新;何文设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电辅助的PECVD沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种光电辅助的PECVD沉积设备，其特征在于，包括框体，所述框体内设有腔室，所述腔室设有作为下电极的加热底座，所述加热底座用于承载基片，所述加热底座的上方设有作为上电极的上盖板，所述上盖板用于对通入腔室的驱体气体进行分流，所述上盖板可与加热底座相互呼应形成频射电场，以对驱体气体进行电离，所述加热底座附近设有交变磁场，所述交变磁场用于带动带电粒子横向运动，以扩大带电粒子运动轨迹，增加带电粒子与气体分子产生碰撞离化的概率。本实用新型具有以下优点和效果：能够保证成本的同时，提高整体的离化率。
本实用新型一种光电辅助的PECVD沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种光电辅助的PECVD沉积设备，其特征在于，包括框体，所述框体内设有腔室，所述腔室设有作为下电极的加热底座，所述加热底座用于承载基片，所述加热底座的上方设有作为上电极的上盖板，所述上盖板用于对通入腔室的驱体气体进行分流，所述上盖板可与加热底座相互呼应形成频射电场，以对驱体气体进行电离，所述加热底座附近设有交变磁场，所述交变磁场用于带动带电粒子横向运动，以扩大带电粒子运动轨迹，增加带电粒子与气体分子产生碰撞离化的概率。
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