买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利版图检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120805841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511310337.7，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权版图检测方法及装置是由王焕琛;杨英英;张振设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本版图检测方法及装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种版图检测方法及装置，方法包括：根据待检测版图中不同区域内膜层信息，获取不同区域的器件类型；获取真值表中器件类型的器件结构定义信息；获取设计规则手册中器件类型的设计规则信息；根据器件结构定义信息、设计规则信息，生成违反规则信息；根据违反规则信息生成待检测版图的目标违规识别结果。至少能够高效智能且全面地检测出版图中器件结构与膜层的违规设计。

本发明授权版图检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种版图检测方法，其特征在于，包括： 获取待检测版图、半导体器件结构的真值表及设计规则手册； 根据所述待检测版图中不同区域内膜层信息及预设半导体器件的典型膜层特征，获取所述不同区域的器件类型；所述膜层信息包括膜层名称、膜层厚度、膜层尺寸、掺杂浓度与类型、材料类型、导电类型中至少一种；所述预设半导体器件的典型膜层特征包括如下特征中至少一个：金属氧化物半导体场效应晶体管的典型膜层特征包括栅极、源漏区，以及预设厚度的栅氧化层；二极管的典型膜层特征包括单层或双层掺杂结构、无栅极或绝缘层；双极型晶体管的典型膜层特征包括基区，以及导电类型依次为NPN或PNP的三层堆叠结构；集成电路互连结构的典型膜层特征包括多个通孔结构，以及交替的金属与介电层；缘栅双极性晶体管的典型膜层特征包括双极型集电区结构及栅极； 获取所述真值表中所述器件类型的器件结构定义信息； 获取所述设计规则手册中用户预先设置的所述器件类型的设计规则信息； 根据所述器件结构定义信息、所述设计规则信息，生成违反规则信息，所述违反规则信息包括违反半导体器件结构规则及尺寸规则； 根据所述违反规则信息生成所述待检测版图的目标违规识别结果，所述目标违规识别结果包括违规膜层信息、违规器件信息，以及各自的违规信息中至少一种；生成所述待检测版图的目标违规识别结果，包括： 根据所述违规膜层信息、违规器件信息，在所述待检测版图中高亮显示违规膜层及或违规器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。