江西乾照光电有限公司罗文博获国家专利权
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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786995B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511279101.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片是由罗文博;吴洪浩;翁聪;肖垚孝;刘兆设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片，所述制备方法包括：提供一衬底，将衬底放入MOCVD设备的石墨盘上，然后通入反应气体，生长外延层；在生长外延层时，在MOCVD设备的区域气流补偿管道通入的气体包括NH3，通过减少区域气流补偿管道的NH3流量通入，来减少预反应的产生，进而提高外延片内圈和外圈的亮度及电性一致性。
本发明授权一种外延片结构的制备方法及其制备的LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种外延片结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，将衬底放入MOCVD设备的石墨盘上，然后通入反应气体，生长外延层；在生长外延层时，控制石墨盘内圈的温度小于中圈或外圈的温度，且在MOCVD设备的区域气流补偿管道通入的气体包括NH3，通过减少区域气流补偿管道的NH3流量通入来减少预反应物的生成； 所述区域气流补偿管道通入的气体还包括N2和或H2，在减少区域气流补偿管道的NH3流量通入的同时，增加区域气流补偿管道N2和或H2的流量通入，且N2和或H2增加的流量等于NH3减少的流量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照光电有限公司，其通讯地址为：330100 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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