合肥晶合集成电路股份有限公司宫本正文获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120784221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511279883.9,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权半导体装置及其制造方法是由宫本正文设计研发完成,并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。在具有半导体基板、半导体基板上的绝缘层和绝缘层上的布线层的半导体装置中设置:第一主元件,设置于半导体基板,并且具有与半导体基板绝缘的第一栅极电极;第一栅极接触插塞,从布线层与第一栅极电极接触;第一二极管,分别设置于包围半导体基板中的第一栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上;以及多个第一二极管接触插塞,从布线层与各第一二极管接触。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,包括半导体基板、所述半导体基板上的绝缘层和所述绝缘层上的布线层, 所述半导体装置包括: 第一主元件,设置于所述半导体基板,并且具有与所述半导体基板绝缘的第一栅极电极; 第一栅极接触插塞,从所述布线层与所述第一栅极电极接触; 第一二极管,分别设置于包围所述半导体基板中的所述第一栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上;以及 多个第一二极管接触插塞,从所述布线层与各个所述第一二极管接触;包围所述第一栅极接触插塞的多个第一二极管接触插塞中的至少一个通过所述布线层的图案与所述第一栅极接触插塞相连,剩余的第一二极管接触插塞在所述布线层的水平上不与所述第一栅极接触插塞相连; 第二主元件,设置于所述半导体基板,并且具有与所述半导体基板绝缘的第二栅极电极,导电类型与所述第一主元件相反; 第二栅极接触插塞,从所述布线层与所述第二栅极电极接触; 第二二极管,分别设置在包围所述半导体基板中的所述第二栅极接触插塞的正下方的部位的多个部位上,导电类型与所述第一二极管相反; 多个第二二极管接触插塞,从所述布线层与各个所述第二二极管接触,包围所述第二栅极接触插塞的多个第二二极管接触插塞中的至少一个通过所述布线层的图案与所述第二栅极接触插塞相连,剩余的所述第二二极管接触插塞在所述布线层的水平上不与所述第二栅极接触插塞相连;所述第二栅极接触插塞在所述布线层的水平上不与所述第一栅极接触插塞相连; 在所述半导体基板中包括: 包含所述第一主元件的位置及所述第一二极管的位置的范围的第一导电型阱; 包含所述第二主元件的位置的范围的第二导电型主阱; 包含所述第二二极管的范围的第二导电型副阱;以及 包含所述第一导电型阱及所述第二导电型主阱的下部,不包含所述第二导电型副阱的下部的至少一部分的范围的第一导电型深阱。
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