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龙图腾网获悉海南大学申请的专利用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411741027.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法是由徐彬艺;沈重;杨德坤;梁伟设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法，其包括漏极、n+衬底、n型漂移区和左右对称的两个源极，所述n‑漂移区上方设有n柱区，所述n柱区左右两端均包括左右对称的p1+基极区、高浓度的第一n+源区和低浓度的n1+区形成的超级结区，所述n柱区顶部两端包括左右对称的p+源区、p体区和高浓度的第二n+源区，所述n柱区顶部凹槽内设有p+屏蔽区，所述n柱区、p+屏蔽区、p体区、第二n+源区共同形成沟槽，所述沟槽上设有一层栅极氧化物层，所述栅极氧化物层上设有栅极金属；所述源极分别位于栅极氧化物层左右两端。本发明具有强大的反向恢复、提高电压电阻、减少寄生电容、提高开关速度、降低导通电阻的能力。

本发明授权用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结及其制备方法在权利要求书中公布了：1.用于增强反向恢复性能的SiC沟槽MOSFET超级结，其包括漏极、n+衬底、n型漂移区和左右对称的两个源极，所述漏极、n+衬底、n型漂移区依次自下而上排布，其特征在于：所述n型漂移区上方设有n柱区，所述n柱区呈凹型状，所述n柱区左右两端均包括左右对称的p1+基极区、高浓度的第一n+源区和低浓度的n1+区形成的超级结区，所述p1+基极区呈L型状，其底部与n型漂移区相接，侧面紧贴于n柱区上并向上延伸，所述第一n+源区、n1+区均位于p1+基极区L型槽内，所述n1+区紧贴n柱区上并向上延伸，所述第一n+源区位于n1+区上方；所述n柱区顶部两端包括左右对称的p+源区、p体区和高浓度的第二n+源区，所述p+源区、p体区紧贴于n柱区上，所述第二n+源区位于p体区上方，所述p+源区位于第一n+源区与第二n+源区之间；所述n柱区顶部凹槽内设有p+屏蔽区，所述n柱区、p+屏蔽区、p体区、第二n+源区共同形成沟槽，所述沟槽上设有一层栅极氧化物层，所述栅极氧化物层上设有栅极金属；所述源极分别位于栅极氧化物层左右两端，并覆盖于第二n+源区、p+源区、第一n+源区、p1+基极区上方。

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