中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司中原油田分公司王璟明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司中原油田分公司申请的专利一种薄层页岩微构造刻画方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119616470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311174091.6，技术领域涉及：E21B49/00；该发明授权一种薄层页岩微构造刻画方法是由王璟明;彭君;李巧梅;刘红磊;吴昊;杨博设计研发完成，并于2023-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄层页岩微构造刻画方法在说明书摘要公布了：本发明属于油气田勘探和开发技术领域，具体涉及一种薄层页岩微构造刻画方法。具体步骤包括：本发明在水平井页岩靶窗内部划分标志层，利用随钻自然伽马和岩屑特征即时判断标志层，在标志层间地层厚度变化的基础下，根据标志层与井轨迹的交切关系计算地层倾角及倾向，进而对目标区进行微构造刻画，具有成本更为低廉、资料来源充足、准确性高的特点，不仅能够实现薄层页岩微构造刻画，还能在水平井的钻进过程中为井轨迹的调整提供有力的依据，此外还能为井工厂模式下相邻待钻水平井井轨迹的优化提供依据。
本发明授权一种薄层页岩微构造刻画方法在权利要求书中公布了：1.一种薄层页岩微构造刻画方法，其特征在于，根据获取的已钻井的目的层岩心的地质特征，在目的层内划分标志层；识别井轨迹钻遇的标志层，对不同标志层间地层的垂厚等厚进行刻画，并结合井轨迹与各标志层间地层的交切关系，计算井轨迹每次穿越同一标志层或相邻两个标志层的地层倾角和地层倾角所在的方位角，以对目标区进行微构造刻画； 标志层与井轨迹的交切关系包括地层和井轨迹均下倾且井轨迹相对地层下倾，则井轨迹钻遇第一个标志层的地层倾角θ1和钻遇第二个标志层的地层倾角θ2的计算公式分别为： 其中，a为钻遇两个标志层的水平投影位移长度；b为钻遇第二个标志层时，该坐标下利用插值法计算的两标志层面垂厚；c为钻遇第一个标志层时，该坐标下利用插值法计算的两标志层面垂厚；α为钻遇标志层时的井斜角。
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