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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119615115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411795696.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法是由高兆猛;刘成;赵戚文冬;郑赟喆;成岩设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法，所述方法包括步骤：配置铪基铁电薄膜制备原料；设置生长氧调控参数；根据所述生长氧调控参数利用所述铪基铁电薄膜制备原料制备铪基铁电薄膜；设置退火氧调控参数；根据所述退火氧调控参数对所述铪基铁电薄膜进行退火操作；设置再次退火氧调控参数；根据所述再次退火氧调控参数对所述铪基铁电薄膜进行再次退火操作。本申请提供的一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法从生长氧、退火氧、再次退火氧三方面对器件内部氧含量有效调控，满足后端工艺制造过程，有利于铪基铁电存储芯片的研发。

本发明授权一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法在权利要求书中公布了：1.一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法，其特征在于，所述方法包括步骤： 配置铪基铁电薄膜制备原料；所述原料包括基底、电极、前驱体及至少两种不同种类的氧源； 设置生长氧调控参数；所述生长氧调控参数包括前驱体-氮气循环数量，前驱体氧源含量，各沉积层所使用氧源的种类，以及该层氧源循环脉冲次数、流量及脉冲时间；其中，在不同沉积层分别使用不同种类的氧源，并独立调节该层氧源循环脉冲次数、流量及脉冲时间，以实现对薄膜初始氧含量的梯度调控，进而控制氧缺陷的梯度分布； 根据所述生长氧调控参数利用所述铪基铁电薄膜制备原料制备铪基铁电薄膜； 设置第一退火氧调控参数；所述第一退火氧调控参数包括：退火压强、退火时间及第一退火温度； 根据所述第一退火氧调控参数对所述铪基铁电薄膜进行退火操作； 设置再次退火氧调控参数；所述再次退火氧调控参数包括：退火压强、退火时间及第二退火温度； 根据所述再次退火氧调控参数对所述铪基铁电薄膜进行再次退火操作； 所述根据所述生长氧调控参数利用所述铪基铁电薄膜制备原料制备铪基铁电薄膜包括步骤： 获取基底、电极、前驱体和至少两种不同种类的氧源； 利用所述电极在所述基底上沉积底电极； 利用所述前驱体和至少两种不同种类的所述氧源在所述底电极上逐层沉积沉积层； 利用所述电极在所述沉积层上沉积顶电极； 图形化所述底电极和所述顶电极。

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