湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)冯波获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)申请的专利一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411052150.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法是由冯波;王彪;陈艺勤;黄飞凤;段辉高设计研发完成，并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，属于微纳制造技术领域，金属层的沉积过程中，采用掠角离子束溅射IBS物理气相沉积方式PVD，可实现钼Mo、钌Ru等金属薄膜在数十纳米特征尺寸CD及大高宽比AR沟槽结构内的高质量共形填充，即具备优良的填孔能力，能够实现100%的侧壁覆盖率，并避免悬凸Overhang和空洞Void等不良模式的出现。本发明将离子束溅射技术引入集成电路制造工艺中，为集成电路栅极金属材料、中道及后道互连垫衬层阻挡层种子层导电金属材料、以及3D‑DRAM电容电极材料的沉积和填充提供新的工艺解决方案。
本发明授权一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路互连线金属层离子束溅射沉积方法，其特征在于，该方法的具体步骤如下： 步骤1，在基底上制备薄膜，作为刻蚀停止层； 步骤2，在薄膜上制备低介电常数材料，作为金属间的电介质； 步骤3，在电介质上通过沉积薄膜，作为覆盖介电材料及曝光图形转写的硬掩模； 步骤4，旋涂碳涂层对表面平坦化； 步骤5，旋涂抗反射层，用以吸收界面处光刻反射光； 步骤6，对样品表面旋涂光刻胶，并进行曝光显影制备得到光刻胶图案；之后以此光刻胶图案为掩膜，进行多步刻蚀不同材料的后续工艺； 步骤7，沉积侧壁绝缘层； 步骤8，沉积阻挡层黏附层种子层，具体控制参数为：衬底温度为20℃，溅射气压为0.02~1Pa，Ar气流量为20~40sccm，衬底旋转速度为10~20rmin沉积不超过10nm厚度膜层； 步骤9，对沟槽和通孔内填充金属； 步骤10，使用化学机械平坦化CMP除去多余材料及对表面进行抛光打磨。
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