中国科学院微电子研究所杜勇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411570269.3，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片是由杜勇;刘文亮;张永奎设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制备技术领域，并公开了一种硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片，方法包括将介质材料沉积在硅基底的表面，在N阱和P阱上方开设隔离槽并在槽内形成外延叠层；沉积硬掩膜层并进行图形化工艺处理，在外延叠层上方形成保留掩膜层，之后在隔离槽内制备两种不同类型的垂直器件；将介质材料沉积在隔离槽内，采用凹陷工艺将垂直器件的表面暴露在外部环境中；对垂直器件表面进行HKMG沉积和图形化工艺处理形成高K金属栅，之后进行层间介质沉积以形成层间介质层，对层间介质层进行通孔刻蚀并填充导电金属形成硅基异质器件单片。上述方法实现了不同类型的垂直器件的高密度集成，显著提高了器件的性能、可靠性和集成度。
本发明授权硅基异质器件单片集成方法及硅基异质器件单片在权利要求书中公布了：1.一种硅基异质器件单片集成方法，其特征在于，包括： 将介质材料沉积在硅基底的表面，分别在所述硅基底的N阱和P阱上方开设隔离槽，并在所述隔离槽内形成外延叠层； 在所述外延叠层上方沉积硬掩膜层，并对所述硬掩膜层进行图形化工艺处理，以在所述外延叠层上方形成保留掩膜层，基于所述外延叠层和所述保留掩膜层，分别在所述硅基底的N阱和P阱对应的隔离槽内制备两种不同类型的垂直器件； 将介质材料沉积在所述隔离槽内，采用凹陷工艺使得介质材料低于所述垂直器件的高度，并将所述垂直器件的表面暴露在外部环境中； 对两种不同类型的所述垂直器件的表面进行HKMG沉积和图形化工艺处理形成高K金属栅，对所述高K金属栅进行层间介质沉积以形成层间介质层，基于预设版图位置对所述层间介质层进行通孔刻蚀并填充导电金属，形成硅基异质器件单片。
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