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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119459070B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411617260.3，技术领域涉及：B32B27/28；该发明授权一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法是由常云飞;范镇豪;王大伟;戴剑;谢航设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法，涉及一种用于介电储能的复合材料及其制备方法。解决现有技术下聚合物基复合材料相对介电常数较低、击穿场强不高以及储能效率较低，导致其放电储能密度和储能效率都较低的问题。材料是由PEI基复合材料膜及PVDF基复合材料膜组成的双层结构聚合物基复合材料，放电储能密度Udis≥20Jcm3，储能效率η＞70％。方法：一、二维片状填料的制备；二、PEI基复合材料溶液和PVDF基复合材料溶液的制备；三、双层结构聚合物基复合材料的制备。本发明用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备。

本发明授权一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料，其特征在于它是由PEI基复合材料膜及PVDF基复合材料膜组成的双层结构聚合物基复合材料；所述的双层结构聚合物基复合材料的厚度为7μm~10μm；所述的PEI基复合材料膜与PVDF基复合材料膜的厚度比为1:0.2~3.0； 所述的PEI基复合材料膜由PEI基聚合物及二维片状填料制备而成；所述的PVDF基复合材料膜由PVDF基聚合物及二维片状填料制备而成； 所述的PEI基聚合物为聚醚酰亚胺、聚酰亚胺和硫化聚醚酰亚胺中的一种或其中几种的组合； 所述的PVDF基聚合物为聚偏二氟乙烯、聚偏二氟乙烯-六氟丙烯和三元共聚物PVDF-TrFE-CTFE中的一种或其中几种的组合； 所述的二维片状填料为Na0.5Bi4.5Ti4O15、Bi4Ti3O12和SrBi2Ta2O9中的一种或其中几种的组合； 所述的二维片状填料的片径为0.5µm~5µm；所述的PEI基复合材料膜中二维片状填料占PEI基聚合物质量的0.1%~2.0%；所述的PVDF基复合材料膜中二维片状填料占PVDF基聚合物质量的0.1%~2.0%； 所述的用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料的放电储能密度Udis≥20Jcm3，储能效率η＞70%；在电阻R为300Ω及电场为3000kVcm的条件下，所述的用于介电储能的双层结构聚合物基复合材料的放电速率t0.9≤50ns，功率密度PD大于50MWcm3。

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